HTM040N03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTM040N03P
   Código: TM040N03P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTM040N03P

HTM040N03P Datasheet (PDF)

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htm040n03p.pdf

HTM040N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness4.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested71 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number P

5.1. Size:963K cn hunteck
htm040n03.pdf

HTM040N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness32 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pa

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Liste

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