Справочник MOSFET. HTM040N03P

 

HTM040N03P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM040N03P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HTM040N03P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM040N03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  cn hunteck
 htm040n03p.pdf pdf_icon

HTM040N03P

HTM040N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness4.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested71 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number P

 5.1. Size:963K  cn hunteck
 htm040n03.pdf pdf_icon

HTM040N03P

HTM040N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness32 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pa

Другие MOSFET... HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , MMIS60R580P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 .

History: RTU002P02T106 | NTMFS5113PL | IRFP440R | CS12N65FA9R | QS8M51 | MME70R380PRH | 25N10L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.