HTM058N03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTM058N03P
   Código: TM058N03P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: TBD nC
   trⓘ - Tiempo de subida: TBD nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: TBD pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

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HTM058N03P Datasheet (PDF)

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htm058n03p.pdf

HTM058N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested48 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Numbe

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