HTM058N03P Todos los transistores

 

HTM058N03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTM058N03P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: TBD nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: TBD pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

 Búsqueda de reemplazo de HTM058N03P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HTM058N03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  cn hunteck
 htm058n03p.pdf pdf_icon

HTM058N03P

HTM058N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested48 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Numbe

Otros transistores... HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , RU7088R , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.