HTM058N03P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTM058N03P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: TBD nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: TBD pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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HTM058N03P datasheet

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HTM058N03P

HTM058N03P P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 48 A ID Lead Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Numbe

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