HTM058N03P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM058N03P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: TBD ns

Cossⓘ - Выходная емкость: TBD pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для HTM058N03P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM058N03P даташит

 ..1. Size:244K  cn hunteck
 htm058n03p.pdf pdf_icon

HTM058N03P

HTM058N03P P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 48 A ID Lead Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Numbe

Другие IGBT... HTJ500P03, HTJ600N06, HTJ650P02, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, IRFZ48N, HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03