HTM058N03P - аналоги и даташиты транзистора

 

 

HTM058N03P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HTM058N03P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: TBD ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: TBD pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HTM058N03P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

HTM058N03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  cn hunteck
 htm058n03p.pdf pdf_icon

HTM058N03P

HTM058N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested48 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Numbe

Другие MOSFET... HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , IRFZ48N , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.