HTM063P02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTM063P02

Código: TM063P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 605 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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HTM063P02 datasheet

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HTM063P02

HTM063P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET Feature -20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -46 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Numbe

 9.1. Size:1091K  cn hunteck
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HTM063P02

HTM060N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 26 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number Pac

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