HTM063P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTM063P02
   Código: TM063P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 605 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTM063P02

HTM063P02 Datasheet (PDF)

..1. Size:575K cn hunteck
htm063p02.pdf

HTM063P02 P-120V P-Ch Power MOSFETFeature-20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-46 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Numbe

9.1. Size:1091K cn hunteck
htm060n03.pdf

HTM060N03P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pac

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Liste

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