HTM063P02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM063P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HTM063P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM063P02 даташит

 ..1. Size:575K  cn hunteck
 htm063p02.pdf pdf_icon

HTM063P02

HTM063P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET Feature -20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -46 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Numbe

 9.1. Size:1091K  cn hunteck
 htm060n03.pdf pdf_icon

HTM063P02

HTM060N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 26 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number Pac

Другие IGBT... HTJ650P02, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, IRF830, HTM095P02, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, HTM200P03, HTN019N03P