HTM063P02 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTM063P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для HTM063P02
HTM063P02 Datasheet (PDF)
htm063p02.pdf
HTM063P02 P-120V P-Ch Power MOSFETFeature-20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-46 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Numbe
htm060n03.pdf
HTM060N03P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pac
Другие MOSFET... HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , IRF830 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P .
History: HSBB3058 | HSL6107 | HSBB3052
History: HSBB3058 | HSL6107 | HSBB3052
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor




