Справочник MOSFET. HTM063P02

 

HTM063P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM063P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HTM063P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM063P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  cn hunteck
 htm063p02.pdf pdf_icon

HTM063P02

HTM063P02 P-120V P-Ch Power MOSFETFeature-20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-46 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Numbe

 9.1. Size:1091K  cn hunteck
 htm060n03.pdf pdf_icon

HTM063P02

HTM060N03P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pac

Другие MOSFET... HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , IRF1405 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P .

History: CEE02N6G | HM50P02K | IXFH30N40Q | AP83T03GH-HF | IPB036N12N3G | CED04N7G | PTB14508E

 

 
Back to Top

 


 
.