HTM095P02 Todos los transistores

 

HTM095P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTM095P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 596 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de HTM095P02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HTM095P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  cn hunteck
 htm095p02.pdf pdf_icon

HTM095P02

HTM095P02 P-120V P-Ch Power MOSFETFeature-20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.8RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness10.3RDS(on),typ VGS=-2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested14.5RDS(on),typ VGS=-1.8V m Lead Free, Halogen Free-15 AID (Sillicon Limited)DrainApplication Hard Switching and High Speed Circuit

Otros transistores... HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , 60N06 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 .

History: IRFS531 | NTHL190N65S3HF | AP70L02GP | MSF10N80 | DMP2004TK

 

 
Back to Top

 


 
.