HTM095P02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTM095P02

Código: TM095P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 51 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 596 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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HTM095P02 datasheet

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HTM095P02

HTM095P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET Feature -20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.8 RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 10.3 RDS(on),typ VGS=-2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 14.5 RDS(on),typ VGS=-1.8V m Lead Free, Halogen Free -15 A ID (Sillicon Limited) Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit

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