Справочник MOSFET. HTM095P02

 

HTM095P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM095P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 596 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HTM095P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM095P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  cn hunteck
 htm095p02.pdf pdf_icon

HTM095P02

HTM095P02 P-120V P-Ch Power MOSFETFeature-20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.8RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness10.3RDS(on),typ VGS=-2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested14.5RDS(on),typ VGS=-1.8V m Lead Free, Halogen Free-15 AID (Sillicon Limited)DrainApplication Hard Switching and High Speed Circuit

Другие MOSFET... HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , 60N06 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 .

History: CJ3139KDW | SIHFBE20 | IXTQ96N15P | MTW35N15E | FDS5170N7 | RJK5013DPE

 

 
Back to Top

 


 
.