HTM095P02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTM095P02
Маркировка: TM095P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 596 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
HTM095P02 Datasheet (PDF)
htm095p02.pdf
HTM095P02 P-120V P-Ch Power MOSFETFeature-20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.8RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness10.3RDS(on),typ VGS=-2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested14.5RDS(on),typ VGS=-1.8V m Lead Free, Halogen Free-15 AID (Sillicon Limited)DrainApplication Hard Switching and High Speed Circuit
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918