HTM095P02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM095P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 596 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HTM095P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM095P02 даташит

 ..1. Size:545K  cn hunteck
 htm095p02.pdf pdf_icon

HTM095P02

HTM095P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET Feature -20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.8 RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 10.3 RDS(on),typ VGS=-2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 14.5 RDS(on),typ VGS=-1.8V m Lead Free, Halogen Free -15 A ID (Sillicon Limited) Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit

Другие IGBT... HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02, IRLB3034, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, HTM200P03, HTN019N03P, HTN020N03