HTM095P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HTM095P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 596 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HTM095P02 Datasheet (PDF)
htm095p02.pdf

HTM095P02 P-120V P-Ch Power MOSFETFeature-20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.8RDS(on),typ VGS=-4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness10.3RDS(on),typ VGS=-2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested14.5RDS(on),typ VGS=-1.8V m Lead Free, Halogen Free-15 AID (Sillicon Limited)DrainApplication Hard Switching and High Speed Circuit
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPI60R099CP | RJL6013DPP | AOI482 | RFD10P03L | FS10KM-12 | PKE02BB | IXFP18N65X2
History: IPI60R099CP | RJL6013DPP | AOI482 | RFD10P03L | FS10KM-12 | PKE02BB | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678