HTM105P03P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTM105P03P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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HTM105P03P datasheet

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HTM105P03P

HTM105P03P P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 11.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -52 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Indu

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