HTM105P03P Todos los transistores

 

HTM105P03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTM105P03P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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HTM105P03P Datasheet (PDF)

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HTM105P03P

HTM105P03P P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-52 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and Indu

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History: 2N7227

 

 
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