HTM105P03P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM105P03P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HTM105P03P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM105P03P даташит

 ..1. Size:1188K  cn hunteck
 htm105p03p.pdf pdf_icon

HTM105P03P

HTM105P03P P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 11.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -52 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие IGBT... HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02, IRF9640, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, HTM200P03, HTN019N03P, HTN020N03, HTN020N04P