Справочник MOSFET. HTM105P03P

 

HTM105P03P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM105P03P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM105P03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1188K  cn hunteck
 htm105p03p.pdf pdf_icon

HTM105P03P

HTM105P03P P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-52 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFY430CM | 2SK1015-01 | AUIRFB3006 | APT32M80J | VBFB1410 | PS03P20SA | AON7232

 

 
Back to Top

 


 
.