Справочник MOSFET. HTM105P03P

 

HTM105P03P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM105P03P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HTM105P03P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM105P03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1188K  cn hunteck
 htm105p03p.pdf pdf_icon

HTM105P03P

HTM105P03P P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-52 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие MOSFET... HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , AON7403 , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 , HTN020N04P .

History: P5504EDG

 

 
Back to Top

 


 
.