HTM105P03P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTM105P03P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для HTM105P03P
HTM105P03P Datasheet (PDF)
htm105p03p.pdf

HTM105P03P P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-52 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and Indu
Другие MOSFET... HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , MMD60R360PRH , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 , HTN020N04P .
History: IRFH3707PBF-1 | P2503HVG | IXFA26N50P3 | RJK03B9DPA | BUK9M15-60E | FQI7N80TU
History: IRFH3707PBF-1 | P2503HVG | IXFA26N50P3 | RJK03B9DPA | BUK9M15-60E | FQI7N80TU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115