HTN019N03P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTN019N03P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 141 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 844 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HTN019N03P datasheet

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HTN019N03P

HTN019N03P P-1 30V N-Ch Power MOSFET 30 V Feature VDS 1.9 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),max VGS=10V mW 2.5 RDS(on),max VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 141 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switch

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