HTN019N03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTN019N03P
   Código: TN019N03P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 87 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 141 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 180 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 844 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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HTN019N03P Datasheet (PDF)

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htn019n03p.pdf

HTN019N03P P-130V N-Ch Power MOSFET30 VFeature VDS1.9 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),max VGS=10V mW2.5RDS(on),max VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability141 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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