HTN019N03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTN019N03P
   Código: TN019N03P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 141 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 844 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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HTN019N03P Datasheet (PDF)

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htn019n03p.pdf

HTN019N03P P-130V N-Ch Power MOSFET30 VFeature VDS1.9 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),max VGS=10V mW2.5RDS(on),max VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability141 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

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