Справочник MOSFET. HTN019N03P

 

HTN019N03P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTN019N03P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 141 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 844 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HTN019N03P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTN019N03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  cn hunteck
 htn019n03p.pdf pdf_icon

HTN019N03P

HTN019N03P P-130V N-Ch Power MOSFET30 VFeature VDS1.9 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),max VGS=10V mW2.5RDS(on),max VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability141 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

Другие MOSFET... HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , 2N7002 , HTN020N03 , HTN020N04P , HTN021N03 , HTN027N03P , HTN027P02 , HTN030N03 , HTN035N04P , HTN036N03P .

History: SI8401DB | TPC8A03-H | NCEA40P25G | SSM3K339R | PMN27UP | DMN10H170SVT | PJX8804

 

 
Back to Top

 


 
.