HTN019N03P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTN019N03P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 141 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 844 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для HTN019N03P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTN019N03P даташит

 ..1. Size:1082K  cn hunteck
 htn019n03p.pdf pdf_icon

HTN019N03P

HTN019N03P P-1 30V N-Ch Power MOSFET 30 V Feature VDS 1.9 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),max VGS=10V mW 2.5 RDS(on),max VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 141 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switch

Другие IGBT... HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, HTM200P03, MMIS60R580P, HTN020N03, HTN020N04P, HTN021N03, HTN027N03P, HTN027P02, HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P