HTO350N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTO350N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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HTO350N03 datasheet

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HTO350N03

HTO350N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET 30 V VDS Feature 30 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 5.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TSOP-6 Gate Src Part Number Package Marking HTO350N03 TSOP-6 1D Absolute Maximum Ratings at Tj=25

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