HTO350N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTO350N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de HTO350N03 MOSFET
HTO350N03 Datasheet (PDF)
hto350n03.pdf

HTO350N03 P-130V N-Ch Power MOSFET30 VVDSFeature30RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level5.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTSOP-6GateSrcPart Number Package MarkingHTO350N03 TSOP-6 1DAbsolute Maximum Ratings at Tj=25
Otros transistores... HTN021N03 , HTN027N03P , HTN027P02 , HTN030N03 , HTN035N04P , HTN036N03P , HTN036P03 , HTN070A03 , 20N60 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 .
History: OSG95R750FF | AP70T03AJ | NTMFD4C20N | IRFM254 | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03
History: OSG95R750FF | AP70T03AJ | NTMFD4C20N | IRFM254 | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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