Справочник MOSFET. HTO350N03

 

HTO350N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTO350N03
   Маркировка: 1D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для HTO350N03

 

 

HTO350N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 hto350n03.pdf

HTO350N03 HTO350N03

HTO350N03 P-130V N-Ch Power MOSFET30 VVDSFeature30RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level5.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTSOP-6GateSrcPart Number Package MarkingHTO350N03 TSOP-6 1DAbsolute Maximum Ratings at Tj=25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top