HTO350N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTO350N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для HTO350N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTO350N03 даташит

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 hto350n03.pdf pdf_icon

HTO350N03

HTO350N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET 30 V VDS Feature 30 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 5.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TSOP-6 Gate Src Part Number Package Marking HTO350N03 TSOP-6 1D Absolute Maximum Ratings at Tj=25

Другие IGBT... HTN021N03, HTN027N03P, HTN027P02, HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, HTN070A03, 20N60, HTO500P03, HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03