HTO350N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTO350N03
Маркировка: 1D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.1 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 75 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
HTO350N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:903K cn hunteck
hto350n03.pdf
hto350n03.pdf
HTO350N03 P-130V N-Ch Power MOSFET30 VVDSFeature30RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level5.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTSOP-6GateSrcPart Number Package MarkingHTO350N03 TSOP-6 1DAbsolute Maximum Ratings at Tj=25
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
