HTP2K1P10 Todos los transistores

 

HTP2K1P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTP2K1P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HTP2K1P10 Datasheet (PDF)

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 htp2k1p10.pdf pdf_icon

HTP2K1P10

HTP2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level200RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness-10 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorDrainTO-220GatePart Number Pack

Otros transistores... HTN027P02 , HTN030N03 , HTN035N04P , HTN036N03P , HTN036P03 , HTN070A03 , HTO350N03 , HTO500P03 , IRF540N , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z .

History: ELM321604A | SI7682DP | GP2M002A060XG | CS7807 | SSF11NS70UF

 

 
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