HTP2K1P10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTP2K1P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HTP2K1P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTP2K1P10 даташит

 ..1. Size:611K  cn hunteck
 htp2k1p10.pdf pdf_icon

HTP2K1P10

HTP2K1P10 P-1 100V P-Ch Power MOSFET Feature -100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 200 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness -10 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor Drain TO-220 Gate Part Number Pack

Другие IGBT... HTN027P02, HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, HTN070A03, HTO350N03, HTO500P03, IRF540, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z