HTP2K1P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTP2K1P10
Маркировка: TP2K1P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 82 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO-220
HTP2K1P10 Datasheet (PDF)
..1. Size:611K cn hunteck
htp2k1p10.pdf
htp2k1p10.pdf
HTP2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level200RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness-10 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorDrainTO-220GatePart Number Pack
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
