Справочник MOSFET. HTP2K1P10

 

HTP2K1P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTP2K1P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTP2K1P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  cn hunteck
 htp2k1p10.pdf pdf_icon

HTP2K1P10

HTP2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level200RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness-10 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorDrainTO-220GatePart Number Pack

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.