Справочник MOSFET. HTP2K1P10

 

HTP2K1P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTP2K1P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HTP2K1P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTP2K1P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  cn hunteck
 htp2k1p10.pdf pdf_icon

HTP2K1P10

HTP2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level200RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness-10 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorDrainTO-220GatePart Number Pack

Другие MOSFET... HTN027P02 , HTN030N03 , HTN035N04P , HTN036N03P , HTN036P03 , HTN070A03 , HTO350N03 , HTO500P03 , IRF540N , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z .

History: AU8N60S | IPB80N04S4-04 | 30N20 | 9926A | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.