HTS050N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS050N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

 Búsqueda de reemplazo de HTS050N03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTS050N03 datasheet

 ..1. Size:880K  cn hunteck
 hts050n03.pdf pdf_icon

HTS050N03

HTS050N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic level 3.9 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 7.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 20 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

Otros transistores... HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, HTN070A03, HTO350N03, HTO500P03, HTP2K1P10, 50N06, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03