HTS050N03 Todos los transistores

 

HTS050N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTS050N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

 Búsqueda de reemplazo de HTS050N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HTS050N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  cn hunteck
 hts050n03.pdf pdf_icon

HTS050N03

HTS050N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level3.9RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

Otros transistores... HTN030N03 , HTN035N04P , HTN036N03P , HTN036P03 , HTN070A03 , HTO350N03 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , 50N06 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 .

History: CJS2016 | UTT36N10 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | DHS022N06E

 

 
Back to Top

 


 
.