HTS050N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTS050N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

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HTS050N03 Datasheet (PDF)

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hts050n03.pdf

HTS050N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level3.9RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

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Liste

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