HTS050N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTS050N03
Código: TS050N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 52 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 217 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
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HTS050N03 Datasheet (PDF)
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hts050n03.pdf
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HTS050N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level3.9RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui
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