HTS050N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS050N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS050N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS050N03 даташит

 ..1. Size:880K  cn hunteck
 hts050n03.pdf pdf_icon

HTS050N03

HTS050N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic level 3.9 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 7.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 20 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

Другие IGBT... HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, HTN070A03, HTO350N03, HTO500P03, HTP2K1P10, 50N06, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03