HTS050N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTS050N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 217 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
HTS050N03 Datasheet (PDF)
hts050n03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HTS050N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level3.9RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .