Справочник MOSFET. HTS050N03

 

HTS050N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS050N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS050N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS050N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  cn hunteck
 hts050n03.pdf pdf_icon

HTS050N03

HTS050N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level3.9RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

Другие MOSFET... HTN030N03 , HTN035N04P , HTN036N03P , HTN036P03 , HTN070A03 , HTO350N03 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , 50N06 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 .

History: CCS050M12CM2 | FKP253 | PSMN3R3-40MSH | FIR6N60FG | AOB360A70L | IXZH10N50LB | SM3406NSQG

 

 
Back to Top

 


 
.