HTS085P03E Todos los transistores

 

HTS085P03E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTS085P03E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 476 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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HTS085P03E Datasheet (PDF)

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HTS085P03E

HTS085P03E P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness12RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and Indu

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History: FDD6N50TF | 2SJ125 | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N

 

 
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