HTS085P03E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS085P03E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 476 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

 Búsqueda de reemplazo de HTS085P03E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTS085P03E datasheet

 ..1. Size:575K  cn hunteck
 hts085p03e.pdf pdf_icon

HTS085P03E

HTS085P03E P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -15 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecoms and Indu

Otros transistores... HTN036P03, HTN070A03, HTO350N03, HTO500P03, HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, IRF640, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03