HTS085P03E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS085P03E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 476 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS085P03E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS085P03E даташит

 ..1. Size:575K  cn hunteck
 hts085p03e.pdf pdf_icon

HTS085P03E

HTS085P03E P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -15 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие IGBT... HTN036P03, HTN070A03, HTO350N03, HTO500P03, HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, IRF640, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03