HTS085P03E - аналоги и даташиты транзистора

 

HTS085P03E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HTS085P03E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 476 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS085P03E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS085P03E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  cn hunteck
 hts085p03e.pdf pdf_icon

HTS085P03E

HTS085P03E P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness12RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие MOSFET... HTN036P03 , HTN070A03 , HTO350N03 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , IRFZ44 , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 .

History: 10N60L-TF3T-T | HY3606B | OSG70R600DF | RJK0660DPA | 10N60G-T2Q-T | FDBL86366F085 | OSG70R600AF

 

 
Back to Top

 


 
.