Справочник MOSFET. HTS085P03E

 

HTS085P03E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS085P03E
   Маркировка: TS085P03E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 476 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS085P03E

 

 

HTS085P03E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  cn hunteck
 hts085p03e.pdf

HTS085P03E HTS085P03E

HTS085P03E P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness12RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and Indu

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top