HTS085P03E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTS085P03E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 476 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HTS085P03E
HTS085P03E Datasheet (PDF)
hts085p03e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HTS085P03E P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness12RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and Indu
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .