HTS110A03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS110A03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HTS110A03 datasheet

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HTS110A03

HTS110A03 P-1 30V Dual N-Channel Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 14.5 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free SOIC-8 D2 D2 Application D1 D1 Synchronous Rectification in SMPS H

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