HTS110A03 Todos los transistores

 

HTS110A03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTS110A03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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HTS110A03 Datasheet (PDF)

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HTS110A03

HTS110A03 P-130V Dual N-Channel Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeSOIC-8D2D2ApplicationD1D1 Synchronous Rectification in SMPS H

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History: 19N10L-TA3-T | FTK7510P | 2SK3696-01MR

 

 
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