HTS110A03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTS110A03
Código: TS110A03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 17.6 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 196 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTS110A03
HTS110A03 Datasheet (PDF)
hts110a03.pdf
HTS110A03 P-130V Dual N-Channel Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeSOIC-8D2D2ApplicationD1D1 Synchronous Rectification in SMPS H
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .