Справочник MOSFET. HTS110A03

 

HTS110A03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS110A03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS110A03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS110A03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  cn hunteck
 hts110a03.pdf pdf_icon

HTS110A03

HTS110A03 P-130V Dual N-Channel Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeSOIC-8D2D2ApplicationD1D1 Synchronous Rectification in SMPS H

Другие MOSFET... HTN070A03 , HTO350N03 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , IRF1404 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 .

History: FDMA86108LZ | AOI600A60 | CJP10N65 | 5N65G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.