Справочник MOSFET. HTS110A03

 

HTS110A03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS110A03
   Маркировка: TS110A03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS110A03

 

 

HTS110A03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  cn hunteck
 hts110a03.pdf

HTS110A03 HTS110A03

HTS110A03 P-130V Dual N-Channel Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeSOIC-8D2D2ApplicationD1D1 Synchronous Rectification in SMPS H

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top