HTS110A03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS110A03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS110A03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS110A03 даташит

 ..1. Size:842K  cn hunteck
 hts110a03.pdf pdf_icon

HTS110A03

HTS110A03 P-1 30V Dual N-Channel Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 14.5 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free SOIC-8 D2 D2 Application D1 D1 Synchronous Rectification in SMPS H

Другие IGBT... HTN070A03, HTO350N03, HTO500P03, HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, IRF1404, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03, HTS210C03