HTS130N04 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS130N04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HTS130N04 datasheet

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HTS130N04

HTS130N04 P-1 40V N-Ch Power MOSFET Feature 40 V VDS High Speed Power Switching, logic level 9.6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 14.5 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

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HTS130N04

HTS130P03Z P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 10.7 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -15 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecom

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