HTS130N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTS130N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de HTS130N04 MOSFET
HTS130N04 Datasheet (PDF)
hts130n04.pdf
HTS130N04 P-140V N-Ch Power MOSFETFeature40 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu
hts130p03z.pdf
HTS130P03Z P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness10.7RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecom
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History: P5010AS
History: P5010AS
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