HTS130N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS130N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS130N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS130N04 даташит

 ..1. Size:824K  cn hunteck
 hts130n04.pdf pdf_icon

HTS130N04

HTS130N04 P-1 40V N-Ch Power MOSFET Feature 40 V VDS High Speed Power Switching, logic level 9.6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 14.5 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

 8.1. Size:668K  cn hunteck
 hts130p03z.pdf pdf_icon

HTS130N04

HTS130P03Z P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 10.7 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -15 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecom

Другие IGBT... HTO500P03, HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, IRFB4110, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03