Справочник MOSFET. HTS130N04

 

HTS130N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS130N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS130N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS130N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:824K  cn hunteck
 hts130n04.pdf pdf_icon

HTS130N04

HTS130N04 P-140V N-Ch Power MOSFETFeature40 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

 8.1. Size:668K  cn hunteck
 hts130p03z.pdf pdf_icon

HTS130N04

HTS130P03Z P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness10.7RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecom

Другие MOSFET... HTO500P03 , HTP2K1P10 , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , IRF640N , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P

 

 
Back to Top

 


 
.