HTS130P03Z Todos los transistores

 

HTS130P03Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTS130P03Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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HTS130P03Z Datasheet (PDF)

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HTS130P03Z

HTS130P03Z P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness10.7RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecom

 8.1. Size:824K  cn hunteck
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HTS130P03Z

HTS130N04 P-140V N-Ch Power MOSFETFeature40 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

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History: RJK03E0DNS | P8010BD | 2SK2074 | AUIRFR2307ZTR | BRCS250N10SDP | 36N06 | APQ110SN5EA

 

 
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