HTS130P03Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS130P03Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS130P03Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS130P03Z даташит

 ..1. Size:668K  cn hunteck
 hts130p03z.pdf pdf_icon

HTS130P03Z

HTS130P03Z P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 10.7 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -15 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecom

 8.1. Size:824K  cn hunteck
 hts130n04.pdf pdf_icon

HTS130P03Z

HTS130N04 P-1 40V N-Ch Power MOSFET Feature 40 V VDS High Speed Power Switching, logic level 9.6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 14.5 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

Другие IGBT... HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, IRF640N, HTS140P03, HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03