HTS180P03T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS180P03T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

 Búsqueda de reemplazo de HTS180P03T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTS180P03T datasheet

 ..1. Size:474K  cn hunteck
 hts180p03t.pdf pdf_icon

HTS180P03T

P-1 HTS180P03T 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V m EnhancedAvalanche Ruggedness 21 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -9.3 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, HalogenFree Drain Application SOIC-8 Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit 2 2 DC/DCin Teleco

Otros transistores... HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, AO3400, HTS200N03, HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, HTS450P03