HTS180P03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTS180P03T
   Código: TS180P03T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

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HTS180P03T Datasheet (PDF)

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hts180p03t.pdf

P-1HTS180P03T30V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V m EnhancedAvalanche Ruggedness21RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-9.3 AID (Sillicon Limited) Lead Free, HalogenFreeDrainApplication SOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit22 DC/DCin Teleco

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