Справочник MOSFET. HTS180P03T

 

HTS180P03T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS180P03T
   Маркировка: TS180P03T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS180P03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  cn hunteck
 hts180p03t.pdf pdf_icon

HTS180P03T

P-1HTS180P03T30V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V m EnhancedAvalanche Ruggedness21RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-9.3 AID (Sillicon Limited) Lead Free, HalogenFreeDrainApplication SOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit22 DC/DCin Teleco

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: UT75N03 | CEB85A3 | BUK7Y19-100E

 

 
Back to Top

 


 
.