Справочник MOSFET. HTS180P03T

 

HTS180P03T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS180P03T
   Маркировка: TS180P03T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS180P03T

 

 

HTS180P03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  cn hunteck
 hts180p03t.pdf

HTS180P03T HTS180P03T

P-1HTS180P03T30V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V m EnhancedAvalanche Ruggedness21RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-9.3 AID (Sillicon Limited) Lead Free, HalogenFreeDrainApplication SOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit22 DC/DCin Teleco

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top