HTS180P03T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS180P03T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS180P03T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS180P03T даташит

 ..1. Size:474K  cn hunteck
 hts180p03t.pdf pdf_icon

HTS180P03T

P-1 HTS180P03T 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V m EnhancedAvalanche Ruggedness 21 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -9.3 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, HalogenFree Drain Application SOIC-8 Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit 2 2 DC/DCin Teleco

Другие IGBT... HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, AO3400, HTS200N03, HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, HTS450P03