HTS200N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS200N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 109 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HTS200N03 datasheet

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HTS200N03

HTS200N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain SOIC-8 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number

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HTS200N03

HTS200P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 26 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecoms and In

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