HTS200N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS200N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS200N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS200N03 даташит

 ..1. Size:889K  cn hunteck
 hts200n03.pdf pdf_icon

HTS200N03

HTS200N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain SOIC-8 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number

 8.1. Size:565K  cn hunteck
 hts200p03.pdf pdf_icon

HTS200N03

HTS200P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 26 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecoms and In

Другие IGBT... HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS180P03T, IRFB4227, HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, HTS450P03, HTS500B03