HTS240B03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTS240B03
Código: TS240B03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTS240B03
HTS240B03 Datasheet (PDF)
hts240b03.pdf
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HTS240B03 P-130V Dual P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20.5RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness29RDS(on),typ VGS=-4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-8 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in
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