Справочник MOSFET. HTS240B03

 

HTS240B03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS240B03
   Маркировка: TS240B03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS240B03

 

 

HTS240B03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  cn hunteck
 hts240b03.pdf

HTS240B03 HTS240B03

HTS240B03 P-130V Dual P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20.5RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness29RDS(on),typ VGS=-4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-8 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top