HTS240B03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTS240B03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HTS240B03
HTS240B03 Datasheet (PDF)
hts240b03.pdf

HTS240B03 P-130V Dual P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20.5RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness29RDS(on),typ VGS=-4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-8 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in
Другие MOSFET... HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , AON6414A , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , HTS500B03 , HTS600A06 , HTS600C06 , SFB021N80C3 , SFB021N80I3 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet