Справочник MOSFET. HTS240B03

 

HTS240B03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS240B03
   Маркировка: TS240B03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS240B03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  cn hunteck
 hts240b03.pdf pdf_icon

HTS240B03

HTS240B03 P-130V Dual P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20.5RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness29RDS(on),typ VGS=-4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-8 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVGP104R5NAS | UT3414 | BUK7E11-55B | SVGP104R1NL5

 

 
Back to Top

 


 
.