HTS410P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTS410P06
   Código: TS410P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

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HTS410P06 Datasheet (PDF)

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hts410p06.pdf

HTS410P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level35RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness45RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-7.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 BLDC Motor2

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Liste

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