HTS410P06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS410P06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HTS410P06 datasheet

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HTS410P06

HTS410P06 P-1 60V P-Ch Power MOSFET Feature -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 35 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 45 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -7.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 BLDC Motor 2

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