HTS410P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTS410P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de HTS410P06 MOSFET
Principales características: HTS410P06
hts410p06.pdf
HTS410P06 P-1 60V P-Ch Power MOSFET Feature -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 35 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 45 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -7.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 BLDC Motor 2
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History: OSG65R360DTF
History: OSG65R360DTF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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