Справочник MOSFET. HTS410P06

 

HTS410P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS410P06
   Маркировка: TS410P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 240 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS410P06

 

 

HTS410P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  cn hunteck
 hts410p06.pdf

HTS410P06 HTS410P06

HTS410P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level35RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness45RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-7.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 BLDC Motor2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top