Справочник MOSFET. HTS410P06

 

HTS410P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS410P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 240 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS410P06

 

 

HTS410P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  cn hunteck
hts410p06.pdf

HTS410P06
HTS410P06

HTS410P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level35RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness45RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-7.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 BLDC Motor2

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P55NF06 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top