Справочник MOSFET. HTS410P06

 

HTS410P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS410P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS410P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS410P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  cn hunteck
 hts410p06.pdf pdf_icon

HTS410P06

HTS410P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level35RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness45RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-7.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 BLDC Motor2

Другие MOSFET... HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , IRFB4115 , HTS450P03 , HTS500B03 , HTS600A06 , HTS600C06 , SFB021N80C3 , SFB021N80I3 , SFB024N100C3 , SFB025N100C3 .

History: 3SK38A | IXTA98N075T7

 

 
Back to Top

 


 
.