HTS450P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTS450P03
   Código: TS450P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 9 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 122 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

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HTS450P03 Datasheet (PDF)

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hts450p03.pdf

HTS450P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level37RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness60RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and Induc

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Liste

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