HTS450P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS450P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS450P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS450P03 даташит

 ..1. Size:573K  cn hunteck
 hts450p03.pdf pdf_icon

HTS450P03

HTS450P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 37 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 60 RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -6 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecoms and Induc

Другие IGBT... HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, 8205A, HTS500B03, HTS600A06, HTS600C06, SFB021N80C3, SFB021N80I3, SFB024N100C3, SFB025N100C3, SFB027N100C3