Справочник MOSFET. HTS450P03

 

HTS450P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS450P03
   Маркировка: TS450P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 122 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS450P03

 

 

HTS450P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  cn hunteck
 hts450p03.pdf

HTS450P03 HTS450P03

HTS450P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level37RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness60RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and Induc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top