Справочник MOSFET. HTS450P03

 

HTS450P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS450P03
   Маркировка: TS450P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS450P03

 

 

HTS450P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  cn hunteck
 hts450p03.pdf

HTS450P03 HTS450P03

HTS450P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level37RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness60RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and Induc

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top