HTS500B03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS500B03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HTS500B03 datasheet

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HTS500B03

HTS500B03 P-1 30V Dual P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 40 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 65 RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free SOIC-8 D2 D2 D1 D1 Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tele

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