Справочник MOSFET. HTS500B03

 

HTS500B03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS500B03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS500B03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  cn hunteck
 hts500b03.pdf pdf_icon

HTS500B03

HTS500B03 P-130V Dual P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level40RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness65RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tele

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: BUK768R1-40E | UTT100N06 | HUF76429DF085 | SWP069R10VS | SWT38N65K | SVGP159R3NL5ATR | UTT12P10

 

 
Back to Top

 


 
.