HTS500B03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTS500B03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HTS500B03
HTS500B03 Datasheet (PDF)
hts500b03.pdf

HTS500B03 P-130V Dual P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level40RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness65RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tele
Другие MOSFET... HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , AON7408 , HTS600A06 , HTS600C06 , SFB021N80C3 , SFB021N80I3 , SFB024N100C3 , SFB025N100C3 , SFB027N100C3 , SFB030N100C3 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet