Справочник MOSFET. HTS500B03

 

HTS500B03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS500B03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS500B03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS500B03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  cn hunteck
 hts500b03.pdf pdf_icon

HTS500B03

HTS500B03 P-130V Dual P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level40RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness65RDS(on),typ VGS=-5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tele

Другие MOSFET... HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , STP75NF75 , HTS600A06 , HTS600C06 , SFB021N80C3 , SFB021N80I3 , SFB024N100C3 , SFB025N100C3 , SFB027N100C3 , SFB030N100C3 .

History: BL6N70A-P

 

 
Back to Top

 


 
.