HTS600A06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTS600A06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de HTS600A06 MOSFET
HTS600A06 Datasheet (PDF)
hts600a06.pdf
HTS600A06 P-160V Dual N-Channel Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, logic level50RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability70RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeSOIC-8D2D2ApplicationD1D1 Synchronous Rectification in SMPS Hard
hts600c06.pdf
HTS600C06 P-160V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature60 -60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level60 90RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness5 -4 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marking
Otros transistores... HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , HTS500B03 , AON7408 , HTS600C06 , SFB021N80C3 , SFB021N80I3 , SFB024N100C3 , SFB025N100C3 , SFB027N100C3 , SFB030N100C3 , SFB030N85C3 .
History: CEDF634
History: CEDF634
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D | MD50N50 | MD40N50 | FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810