Справочник MOSFET. HTS600A06

 

HTS600A06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS600A06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS600A06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS600A06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  cn hunteck
 hts600a06.pdf pdf_icon

HTS600A06

HTS600A06 P-160V Dual N-Channel Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, logic level50RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability70RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeSOIC-8D2D2ApplicationD1D1 Synchronous Rectification in SMPS Hard

 8.1. Size:1226K  cn hunteck
 hts600c06.pdf pdf_icon

HTS600A06

HTS600C06 P-160V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature60 -60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level60 90RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness5 -4 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marking

Другие MOSFET... HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , HTS500B03 , AON7408 , HTS600C06 , SFB021N80C3 , SFB021N80I3 , SFB024N100C3 , SFB025N100C3 , SFB027N100C3 , SFB030N100C3 , SFB030N85C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.