HTS600A06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS600A06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HTS600A06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS600A06 даташит

 ..1. Size:882K  cn hunteck
 hts600a06.pdf pdf_icon

HTS600A06

HTS600A06 P-1 60V Dual N-Channel Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, logic level 50 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 70 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free SOIC-8 D2 D2 Application D1 D1 Synchronous Rectification in SMPS Hard

 8.1. Size:1226K  cn hunteck
 hts600c06.pdf pdf_icon

HTS600A06

HTS600C06 P-1 60V Dual N+P Channel Power MOSFET N-CH P-CH Feature 60 -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 60 90 RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 -4 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free SOIC-8 D2 D2 D1 D1 Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motor G2 S2 G1 S1 D1 D2 Part Number Package Marking

Другие IGBT... HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, HTS450P03, HTS500B03, IRF630, HTS600C06, SFB021N80C3, SFB021N80I3, SFB024N100C3, SFB025N100C3, SFB027N100C3, SFB030N100C3, SFB030N85C3