HTS600C06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS600C06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SO8

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HTS600C06 datasheet

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HTS600C06

HTS600C06 P-1 60V Dual N+P Channel Power MOSFET N-CH P-CH Feature 60 -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 60 90 RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 -4 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free SOIC-8 D2 D2 D1 D1 Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motor G2 S2 G1 S1 D1 D2 Part Number Package Marking

 8.1. Size:882K  cn hunteck
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HTS600C06

HTS600A06 P-1 60V Dual N-Channel Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, logic level 50 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 70 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free SOIC-8 D2 D2 Application D1 D1 Synchronous Rectification in SMPS Hard

Otros transistores... HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, HTS450P03, HTS500B03, HTS600A06, IRF630, SFB021N80C3, SFB021N80I3, SFB024N100C3, SFB025N100C3, SFB027N100C3, SFB030N100C3, SFB030N85C3, SFB032N95C3