HTS600C06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS600C06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для HTS600C06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS600C06 даташит

 ..1. Size:1226K  cn hunteck
 hts600c06.pdf pdf_icon

HTS600C06

HTS600C06 P-1 60V Dual N+P Channel Power MOSFET N-CH P-CH Feature 60 -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 60 90 RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 -4 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free SOIC-8 D2 D2 D1 D1 Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motor G2 S2 G1 S1 D1 D2 Part Number Package Marking

 8.1. Size:882K  cn hunteck
 hts600a06.pdf pdf_icon

HTS600C06

HTS600A06 P-1 60V Dual N-Channel Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, logic level 50 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 70 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 5 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free SOIC-8 D2 D2 Application D1 D1 Synchronous Rectification in SMPS Hard

Другие IGBT... HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, HTS450P03, HTS500B03, HTS600A06, IRF630, SFB021N80C3, SFB021N80I3, SFB024N100C3, SFB025N100C3, SFB027N100C3, SFB030N100C3, SFB030N85C3, SFB032N95C3