Справочник MOSFET. HTS600C06

 

HTS600C06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS600C06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS600C06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1226K  cn hunteck
 hts600c06.pdf pdf_icon

HTS600C06

HTS600C06 P-160V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature60 -60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level60 90RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness5 -4 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marking

 8.1. Size:882K  cn hunteck
 hts600a06.pdf pdf_icon

HTS600C06

HTS600A06 P-160V Dual N-Channel Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, logic level50RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability70RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeSOIC-8D2D2ApplicationD1D1 Synchronous Rectification in SMPS Hard

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TDM3430 | UT3N10L-K08-3030-R

 

 
Back to Top

 


 
.