FDSS2407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDSS2407
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 62 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1200 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de FDSS2407 MOSFET
FDSS2407 Datasheet (PDF)
fdss2407.pdf
December 2004FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET62V, 3.3A, 132mFeatures General Description 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 This dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1. 5V Logic Level feedback signal of the drain to sourceA drain to source voltage feedback signal and 2. A gatevoltage. Multiple
fdss2407.pdf
FDSS2407N-Channel Dual MOSFETGeneral Description62V, 3.3A, 132mThis dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1.Features A drain to source voltage feedback signal and 2. A gatedrive disable control function that previously required 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 external discrete circuitry. Incl
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History: SFF044J | SMP40N10 | AUIRF7319Q | SM1A16PSU | 2SK1829 | AO4456
History: SFF044J | SMP40N10 | AUIRF7319Q | SM1A16PSU | 2SK1829 | AO4456
Liste
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