FDSS2407 Todos los transistores

 

FDSS2407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDSS2407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 62 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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FDSS2407 Datasheet (PDF)

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FDSS2407

December 2004FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET62V, 3.3A, 132mFeatures General Description 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 This dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1. 5V Logic Level feedback signal of the drain to sourceA drain to source voltage feedback signal and 2. A gatevoltage. Multiple

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FDSS2407

FDSS2407N-Channel Dual MOSFETGeneral Description62V, 3.3A, 132mThis dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1.Features A drain to source voltage feedback signal and 2. A gatedrive disable control function that previously required 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 external discrete circuitry. Incl

Otros transistores... FDS9926A , FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , IRF840 , FDT3612 , SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 .

History: SWP038R10ES | STF15N65M5 | BSC0504NSI | SM6028NSFP | BSP296 | SI4599DY | SI4966DY

 

 
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