FDSS2407 Todos los transistores

 

FDSS2407 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDSS2407

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 62 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDSS2407 datasheet

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FDSS2407

December 2004 FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET 62V, 3.3A, 132m Features General Description 62V, 132m , 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 This dual N-Channel MOSFET provides added functions as compared to a conventional Power MOSFET. These are 1. 5V Logic Level feedback signal of the drain to source A drain to source voltage feedback signal and 2. A gate voltage. Multiple

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FDSS2407

FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET General Description 62V, 3.3A, 132m This dual N-Channel MOSFET provides added functions as compared to a conventional Power MOSFET. These are 1. Features A drain to source voltage feedback signal and 2. A gate drive disable control function that previously required 62V, 132m , 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 external discrete circuitry. Incl

Otros transistores... FDS9926A , FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , 20N60 , FDT3612 , SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 .

History: STF7N65M2

 

 

 

 

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