Справочник MOSFET. FDSS2407

 

FDSS2407 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDSS2407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 62 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDSS2407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  fairchild semi
 fdss2407.pdf pdf_icon

FDSS2407

December 2004FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET62V, 3.3A, 132mFeatures General Description 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 This dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1. 5V Logic Level feedback signal of the drain to sourceA drain to source voltage feedback signal and 2. A gatevoltage. Multiple

 ..2. Size:697K  onsemi
 fdss2407.pdf pdf_icon

FDSS2407

FDSS2407N-Channel Dual MOSFETGeneral Description62V, 3.3A, 132mThis dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1.Features A drain to source voltage feedback signal and 2. A gatedrive disable control function that previously required 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 external discrete circuitry. Incl

Другие MOSFET... FDS9926A , FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , IRF840 , FDT3612 , SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 .

History: SJMN600R70ZF | FTK5N80DD | IRFI840G | STU330S | AP98T03GP-HF | 2SJ601-Z | SRT15N110HTC

 

 
Back to Top

 


 
.