FDSS2407 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDSS2407
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 62 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для FDSS2407
FDSS2407 Datasheet (PDF)
fdss2407.pdf

December 2004FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET62V, 3.3A, 132mFeatures General Description 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 This dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1. 5V Logic Level feedback signal of the drain to sourceA drain to source voltage feedback signal and 2. A gatevoltage. Multiple
fdss2407.pdf

FDSS2407N-Channel Dual MOSFETGeneral Description62V, 3.3A, 132mThis dual N-Channel MOSFET provides added functions ascompared to a conventional Power MOSFET. These are: 1.Features A drain to source voltage feedback signal and 2. A gatedrive disable control function that previously required 62V, 132m, 5V Logic Level Gate Dual MOSFET in SO-8 external discrete circuitry. Incl
Другие MOSFET... FDS9926A , FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , IRF840 , FDT3612 , SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 .
History: STL12N60M2 | MS10N80
History: STL12N60M2 | MS10N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet