FDT3612 Todos los transistores

 

FDT3612 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDT3612

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT223

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FDT3612 datasheet

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FDT3612

March 2001 FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.7 A, 100 V. RDS(ON) = 120 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 130 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast switching spe

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FDT3612

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , FDSS2407 , IRF540N , SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ .

 

 

 

 

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