FDT3612 - описание и поиск аналогов

 

FDT3612. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDT3612

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для FDT3612

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT3612 даташит

 ..1. Size:108K  fairchild semi
 fdt3612.pdf pdf_icon

FDT3612

March 2001 FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.7 A, 100 V. RDS(ON) = 120 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 130 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast switching spe

 ..2. Size:292K  onsemi
 fdt3612.pdf pdf_icon

FDT3612

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , FDSS2407 , IRF540N , SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.