Справочник MOSFET. FDT3612

 

FDT3612 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDT3612
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для FDT3612

 

 

FDT3612 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fairchild semi
 fdt3612.pdf

FDT3612 FDT3612

March 2001 FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.7 A, 100 V. RDS(ON) = 120 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 130 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast switching spe

 ..2. Size:292K  onsemi
 fdt3612.pdf

FDT3612 FDT3612

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , FDSS2407 , IRF840 , SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ .

 

 
Back to Top