SFB096N200C3 Todos los transistores

 

SFB096N200C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFB096N200C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SFB096N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  cn scilicon
 sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf pdf_icon

SFB096N200C3

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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History: TPC8012-H | NP90N055MUK | NCEP0260 | IPW60R070CFD7 | SQM100N04-3M5 | IRL620PBF

 

 
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