SFB096N200C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFB096N200C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SFB096N200C3 datasheet

 ..1. Size:1237K  cn scilicon
 sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf pdf_icon

SFB096N200C3

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m , 135A Features Product Summary Low on resistance V 200V DS Low gate charge R 8.5m DS(on) typ. Fast switching I 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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