SFB096N200C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFB096N200C3

Маркировка: 096N200C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SFB096N200C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB096N200C3 даташит

 ..1. Size:1237K  cn scilicon
 sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf pdf_icon

SFB096N200C3

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m , 135A Features Product Summary Low on resistance V 200V DS Low gate charge R 8.5m DS(on) typ. Fast switching I 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие IGBT... SFB077N150C2, SFB082N165C3, SFB082N68C2, SFB082N75C2, SFB082N80DC2, SFB083N80CC2, SFB087N120C2, SFB087N80C2, STP65NF06, SFB107N200C3, SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2