SFB096N200C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFB096N200C3
Маркировка: 096N200C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 135 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 195 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 425 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0096 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SFB096N200C3
SFB096N200C3 Datasheet (PDF)
..1. Size:1237K cn scilicon
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf
SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
