Справочник MOSFET. SFB096N200C3

 

SFB096N200C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFB096N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SFB096N200C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB096N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  cn scilicon
 sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf pdf_icon

SFB096N200C3

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие MOSFET... SFB077N150C2 , SFB082N165C3 , SFB082N68C2 , SFB082N75C2 , SFB082N80DC2 , SFB083N80CC2 , SFB087N120C2 , SFB087N80C2 , IRFZ48N , SFB107N200C3 , SFB120N120B , SFB120N80A , SFB130N150AC2 , SFB132N200C3 , SFB1800N650C2 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 .

History: SQJ262EP | SI2309CDS-T1-GE3 | WMJ18N50D1B | RJK0223DNS | PV563BA | IRC740PBF | HSP4024A

 

 
Back to Top

 


 
.