SFB096N200C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFB096N200C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SFB096N200C3
SFB096N200C3 Datasheet (PDF)
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
Другие MOSFET... SFB077N150C2 , SFB082N165C3 , SFB082N68C2 , SFB082N75C2 , SFB082N80DC2 , SFB083N80CC2 , SFB087N120C2 , SFB087N80C2 , IRFZ48N , SFB107N200C3 , SFB120N120B , SFB120N80A , SFB130N150AC2 , SFB132N200C3 , SFB1800N650C2 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 .
History: SI68H11 | HD60P03 | TK50F15J1 | KML0D6NP20EA | SWSI6N70DA | STB13NM50N | BL15N50-P
History: SI68H11 | HD60P03 | TK50F15J1 | KML0D6NP20EA | SWSI6N70DA | STB13NM50N | BL15N50-P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a