SFB107N200C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFB107N200C3
Código: 107N200C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 132 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFB107N200C3
SFB107N200C3 Datasheet (PDF)
sfp110n200c3 sfb107n200c3 sfw107n200c3.pdf
SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m, 132AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 9.4m DS(on) typ. Fast switchingI 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
sfp110n200c3 sfb107n200c3.pdf
SFP110N200C3, SFB107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.1m, 132AFeatureProduct Summary High Speed Power Smooth SwitchingVDS200V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on)9.1m Enhanced Avalanche RuggednessID 132AApplication 100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit100% Avalanche Tested
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Liste
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