SFB107N200C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFB107N200C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 132 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SFB107N200C3 datasheet

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SFB107N200C3

SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m , 132A Features Product Summary Low on resistance V 200V DS Low gate charge R 9.4m DS(on) typ. Fast switching I 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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SFB107N200C3

SFP110N200C3, SFB107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.1m , 132A Feature Product Summary High Speed Power Smooth Switching VDS 200V Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on) 9.1m Enhanced Avalanche Ruggedness ID 132A Application 100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS 100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit 100% Avalanche Tested

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