SFB107N200C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFB107N200C3
Маркировка: 107N200C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 341 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 132 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 56 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 420 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0107 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SFB107N200C3
SFB107N200C3 Datasheet (PDF)
sfp110n200c3 sfb107n200c3 sfw107n200c3.pdf
SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m, 132AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 9.4m DS(on) typ. Fast switchingI 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
sfp110n200c3 sfb107n200c3.pdf
SFP110N200C3, SFB107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.1m, 132AFeatureProduct Summary High Speed Power Smooth SwitchingVDS200V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on)9.1m Enhanced Avalanche RuggednessID 132AApplication 100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit100% Avalanche Tested
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
