SFB107N200C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFB107N200C3

Маркировка: 107N200C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SFB107N200C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB107N200C3 даташит

 ..1. Size:1151K  cn scilicon
 sfp110n200c3 sfb107n200c3 sfw107n200c3.pdf pdf_icon

SFB107N200C3

SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m , 132A Features Product Summary Low on resistance V 200V DS Low gate charge R 9.4m DS(on) typ. Fast switching I 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 ..2. Size:5135K  cn scilicon
 sfp110n200c3 sfb107n200c3.pdf pdf_icon

SFB107N200C3

SFP110N200C3, SFB107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.1m , 132A Feature Product Summary High Speed Power Smooth Switching VDS 200V Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on) 9.1m Enhanced Avalanche Ruggedness ID 132A Application 100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS 100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit 100% Avalanche Tested

Другие IGBT... SFB082N165C3, SFB082N68C2, SFB082N75C2, SFB082N80DC2, SFB083N80CC2, SFB087N120C2, SFB087N80C2, SFB096N200C3, IRF1405, SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100